單晶硅壓力傳感器

單晶硅壓力傳感器

 器(qi)采用進口硅芯片(pian)作(zuo)為壓力(li)檢測元件，采用*的(de)封裝技術，使產品 更加穩定(ding)，保證產品的(de)長(chang)期(qi)穩定(ding)性，搭配高精度電路板(ban)，采用多點溫度補償，使傳感器(qi)在(zai)不同溫度范圍內準確測量(liang) 現場壓力(li)，電路板(ban)自帶 HART 協議通訊，方便在(zai)線修(xiu)改參數或(huo)遠傳操作(zuo)。

●高精度，量程比為 50:1 ●量程范圍(wei)從(cong) 1kPa 至 40MPa ●過程隔離膜片為 316L 不銹鋼、哈氏合金、鉭膜片等(deng)可選(xuan) ●小型，輕便易于安裝 ●帶有 EEPROM,斷電時不會丟失(shi)數據

單晶硅壓力變送器 用于測量、或(huo)的、、，然后將其轉變(bian)成(cheng)4-20mAHART電流(liu)信號輸出，也(ye)可與HART375或BST 相互通(tong)信，通(tong)過他們進行參數設定、過程控制。與傳統壓力變送器的區(qu)別在于(yu)它(ta)使用的是納米(mi)作為(wei)材料(liao)。

 傳感器(qi)(qi)模塊采用全焊接技術，內部擁有(you)一個(ge)整體化的過載膜片，一個(ge)壓力傳感器(qi)(qi)和(he)一個(ge)。溫(wen)度傳感器作為溫(wen)度補償的參考值。的(de)正(zheng)壓(ya)側(ce)與傳(chuan)(chuan)感(gan)(gan)器(qi)膜盒的(de)高壓(ya)腔相(xiang)連，傳(chuan)(chuan)感(gan)(gan)器(qi)的(de)負壓(ya)側(ce)與傳(chuan)(chuan)感(gan)(gan)器(qi)膜盒的(de)低壓(ya)腔相(xiang)連，壓(ya)力通(tong)過隔離膜片和(he)(he)填充液，傳(chuan)(chuan)遞給傳(chuan)(chuan)感(gan)(gan)器(qi)內的(de)硅(gui)芯片，使壓(ya)力傳(chuan)(chuan)感(gan)(gan)器(qi)的(de)芯片的(de)阻值發生變化，從而(er)導致檢(jian)測(ce)系統輸(shu)(shu)出電壓(ya)變化。該輸(shu)(shu)出電壓(ya)與壓(ya)力變化成正(zheng)比，再由適配(pei)單元(yuan)和(he)(he)放(fang)大器(qi)轉化成一標準化信號(hao)輸(shu)(shu)出。