單晶硅壓力傳感器

單晶硅壓力傳感器

 器采(cai)用(yong)(yong)進口硅芯(xin)片作(zuo)為壓(ya)力檢測元件，采(cai)用(yong)(yong)*的(de)封裝技術，使(shi)產品 更(geng)加穩(wen)定，保證產品的(de)長期穩(wen)定性(xing)，搭配高(gao)精度(du)電路板，采(cai)用(yong)(yong)多點溫(wen)度(du)補償，使(shi)傳感器在不同溫(wen)度(du)范圍內準確測量(liang) 現場壓(ya)力，電路板自帶 HART 協議通訊，方便在線修改參數或遠傳操作(zuo)。

●高精度，量程(cheng)(cheng)比為(wei) 50:1 ●量程(cheng)(cheng)范圍從 1kPa 至(zhi) 40MPa ●過程(cheng)(cheng)隔(ge)離(li)膜(mo)片為(wei) 316L 不銹鋼、哈氏合(he)金、鉭(tan)膜(mo)片等可選 ●小(xiao)型，輕便易于安裝 ●帶(dai)有 EEPROM,斷(duan)電時不會丟失數(shu)據

單晶硅壓力變送器 用于測量、或的、、，然后(hou)將(jiang)其轉變成4-20mAHART電流信號輸出(chu)，也(ye)可與HART375或BST 相互通信(xin)，通過他們進行參數(shu)設定、過程控制。與傳統(tong)壓(ya)力(li)變(bian)送(song)器的區別在(zai)于(yu)它使(shi)用的是納(na)米作為材料。

 傳感器模塊采用全(quan)焊接技(ji)術，內部擁有一(yi)個整體化的過載膜片，一(yi)個壓力傳感器和一(yi)個。溫(wen)度(du)傳感器作為溫(wen)度(du)補(bu)償的參考值。的正(zheng)(zheng)壓(ya)側(ce)與(yu)(yu)傳(chuan)感器(qi)(qi)(qi)膜盒的高壓(ya)腔相(xiang)連，傳(chuan)感器(qi)(qi)(qi)的負壓(ya)側(ce)與(yu)(yu)傳(chuan)感器(qi)(qi)(qi)膜盒的低壓(ya)腔相(xiang)連，壓(ya)力(li)通過隔離膜片和(he)填充液，傳(chuan)遞給傳(chuan)感器(qi)(qi)(qi)內的硅芯(xin)片，使壓(ya)力(li)傳(chuan)感器(qi)(qi)(qi)的芯(xin)片的阻值(zhi)發生變(bian)化(hua)，從而導致檢(jian)測系統輸(shu)出電(dian)壓(ya)變(bian)化(hua)。該輸(shu)出電(dian)壓(ya)與(yu)(yu)壓(ya)力(li)變(bian)化(hua)成(cheng)正(zheng)(zheng)比，再由適配單元和(he)放大器(qi)(qi)(qi)轉化(hua)成(cheng)一標準化(hua)信(xin)號輸(shu)出。